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商品详情介绍

由于内容过多以下展示为部分展示

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提示: 由于该资料非本人设计,且个人精力有限,无法做到释疑和讲解,小白勿拍!

项目说明

● 包括STM32、BLDC、PMSM、伺服电机开发板、编码器、矢量控制、FOC资料

● 电压:12~36VDC

● 额定电流:8A

● 反馈接口:ABZ差分信号,HALL信号,RS485通讯

● 使用STM32F103R8T6主控,矢量控制算法,ST电机库

SERVO 2Vx 开发板资料20210130001(不含MDK)

类型:

文件

大小:

188.58MB

位置:

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20210130001(不含MDK)

表1: 数据手册中栅极电荷的表示

引脚 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件

QG 总栅电荷 - - 150 nC ID = 14A VDS = 400V VGS = 10V

QGS 栅源电荷 - - 20 nC

QGD 栅漏电荷 - - 80 nC

CISS 输入电容 - 2600 - pF VGS = 0V VDS = 25V f = 1.0 MHz

COSS 输出电容 - 720 - pF

CRSS 反馈传输电容 - 340 - pF

从图1的曲线中选取VGS = 10V的取值点,我们得到总栅电荷为98 nC (VDS = 400V)。利用Q = C·V公式,我们得到栅电荷为9.8 nF。这大约高于表1中列出的2.6 nF的输入电容。这个差异可以通过查看图1的曲线并找到12V时对应的QG值可以得到QG除以12就得到CG的值。已知QG等于CG乘以VG,PC公式可重写为:PC = QG x VxF

需要特别注意的是,公式中的电压被取了平方。因此,减小MOSFET栅极驱动电压可明显减小MOSFET驱动器损耗。例如,10V栅极驱动电压相比于8V至10V并不会进一步减小MOSFET电阻(RDS-ON)。以上述MOSFET为例。利用表1给出的MOSFET信息以及图1为例,在VGS为12V,开关频率F = 250 kHz和漏极电压为400V时,由于MOSFET栅极电容的充放电而产生的MOSFET驱动器的功耗为:PC = CG x V2 x F

PC = 9.5×10-9×(12)2×250×103

PC = 342mW

通过查看图1的曲线并找到12V时对应的QG值可以得到QG除以12就得到CG的值。已知QG等于CG乘以VG,PC公式可重写为:PC = QG x VxF

PC = 98×10-9×10×250×103

PC = 245mW

栅极电荷减小了16%(从12V减小至10V),而得到 的栅极驱动功耗减小了28%。进一步可以见到由于MOSFET驱动器切换瞬间导通和N沟道MOSFET截止时损耗的降低也降低了交叉导通损耗。通常这也被称作穿通。通常这也被称作穿通。这是因为由于MOSFET驱动器切换瞬间导通和截止状态之间 的漏极和N沟道MOSFET截止时损耗的降低也降低了交叉导通损耗。通常这也被称作穿通。这是因为由于MOSFET驱动器切换瞬间导通和截止状态之间 的漏极和N沟道MOSFET截止时损耗的降低也降低了交叉导通损。

图1: N沟道MOSFET

14A, N沟道MOSFET

当使用电驱动的电机的最大电流值进行最终情况 设计时,这个值应根据设计中的电流值和栅极电压进行调整。